台積電突破2nm 製程　2023年試產

根據最新報導，台積電已經在2nm製程上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm製程有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年就能步入量產階段。

台積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進1nm製程的研發。台積電預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先採納其2nm製程。華為就沒機會享受了。

2nm製程上，台積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應晶體管)，甚至不使用三星規劃在3nm製程上使用的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為「MBCFET」(多橋通道場效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。

當然，新製程的成本越發會成為天文數字，三星已經在5nm製程研發上已經投入了大約4.8億美元，3nm GAAFET上會大大超過5億美元。但台積電很少披露具體製程節點上的投入數字。